半导体物理中,引入空穴的意义?标准在参考文献是怎么写的?

科技 2年前 阅读:22 评论:0
标准在参考文献是怎么写的?引入空穴的意义?在P型半导体中,电行为是由空穴引导的,在N型半导体中,电行为才是由电子引导的,也就是少子寿命是决定半导体器件性能的关键参数之一。因此无论是P型还是N型半导体,标准在参考文献是怎么写的?标准在参考文献中用[S]引用,引用格式为:标准名称[S].在引用国家标准时,需要查明该标准的编号和具体名称,以S代号作为文献类型辨别符号进行书写,标准名称[S].例如:
  1. 半导体物理中,引入空穴的意义?
  2. 标准在参考文献是怎么写的?

半导体物理中,引入空穴的意义?

半导体器件中,不是一切的一切都是电子的行为。在P型半导体中,电行为是由空穴引导的,因为空穴是多数载流子。

半导体物理中,引入空穴的意义?标准在参考文献是怎么写的?

在N型半导体中,电行为才是由电子引导的,因为电子是多数载流子,而空穴作为少数载流子,其寿命,也就是少子寿命是决定半导体器件性能的关键参数之一。因此无论是P型还是N型半导体,空穴都扮演着至关重要的角色。

标准在参考文献是怎么写的?

标准在参考文献中用[S]引用,引用格式为:[序号] 标准编号,标准名称[S].在引用国家标准时,需要查明该标准的编号和具体名称,以S代号作为文献类型辨别符号进行书写,格式如下:[序号] 标准编号,标准名称[S].例如:扩展资料引用参考文献时需要辨别文献类型,确定辨别符号:

1、参考文献类型及辨别符号:专著[M],论文集[C],报纸文章[N],期刊文章[J],学位论文[D],报告[R],标准[S],专利[P],论文集中的析出文献[A];

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